Technologie de gravure 10 nm

Intel évoque les gravures en 10 nm et 7 nm

A l’occasion de l’International Solid-State Circuits Conference (ISSCC 2015) de San Francisco, Intel a présenté une puce mémoire SDRAM en 14 nm FinFET CMOS de très haute densité. D’une capacité de 84 Mbits soit 10,5 Mo, elle ne mesure que 0,05 µm². Le précédent record détenu par Intel pour une même capacité était une taille de 0,0588 µm². La surface a dont été réduite de 15%. Cette cellule fonctionne à 1,5 GHz sous seulement 0,6 volt mais peut grimper à 3 GHz avec une tension de 1 volt.

L’annonce de nouvelles puces de DRAM va souvent de pair avec des révélations sur les prochains processus de gravure et Intel a donc levé le voile sur ces projets en 10 nm et 7 nm. De nouveaux challenges se profilent pour le 10 nm mais le géant de Santa Clara dit avoir tiré de nombreux enseignements lors du passage en 14 nm. Vu le retard accumulé, les problèmes à surmonter ont dû être nombreux et les solutions ingénieuses…

Prévue pour (NDLR : fin de l’année ?) 2016, la gravure en 10 nm fera appel à une lithographie à immersion en 193 nm plus conventionnelle que les technologies EVU évoquées auparavant et certains traitement utilisés occasionnellement (comme le multiple patterning, expositions multiples) pour des parties critiques seront utilisées massivement. L

‘étape suivant, le 7 nm, est attendue en 2018 et nécessitera l’emploi de nouveaux matériaux qui n’ont pas été dévoilés par Intel. Nos confrères d’Hardware.fr évoquent l’Arséniure de Gallium-Indium [InGaAs] et le Phosphure d’Indium [InP] mais il faudra patienter avant d’en savoir plus.

Une chose est certaine, Intel n’est pas prêt à se laisser distancer dans la course à la finesse de gravure. Enfin, d’autres chantiers sont en cours au niveau des appareillages de gravure avec le passage aux wafer de 450 mm.

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